Page 278 고등학교 디지털 논리 회로 교과서

용어 사전

FeRAM 33 NOT 연산 50 SDRAM 45
강유전체 램이라고도 하며, DRAM보다 성능이 하나의 변숫값에 대하여 부정하는 연산 동기 동적 메모리라고도 하며, 시스템 클록에
우수한 비휘발성 메모리 주파수 동기를 맞추는 기술이 접목된 램으로
OR 게이트 49 대부분 컴퓨터에서 많이 사용하는 램
FPM DRAM 45 2개 이상의 입력 단에 대하여 논리합을 수행하
기존의 DRAM에서 개선된 형태의 메모리로, 여 한 개의 출력을 얻는 게이트 T 플립플롭 214
같은 열이나 페이지당 데이터 접속 속도를 더 JK 플립플롭의 입력을 하나로 묶어 구성한 회
욱 빠르게 함. OR 연산 49 로
2개 이상의 논리 변수들을 논리적으로 합한
JK 플립플롭 212 연산 TTL 23
RS 플립플롭의 사용 금지 조건을 없애기 위해 바이폴러 트랜지스터를 사용하여 만든 디지털
기능을 보완한 플립플로 PB SRAM 46 로직 IC
버스트(burst) 기술과 파이프라인(bipeline) 기
LSB(least significant bit) 223 술을 이용하여 대기 시간이 없고 66MHz 이상 XNOR 게이트(일치 회로) 52
레지스터의 최하위 비트 의 버스 속도를 사용하는 시스템에서 빠르게 XOR 게이트에 NOT 게이트를 결합한 것으로,
동작 XOR 연산의 출력을 보수화한 것
MDRAM 45
메모리를 여러 개의 세그먼트로 나누어 하나의 PRAM 33 XOR 게이트(불일치 회로) 52
세그먼트가 데이터를 공급하는 동안 다른 세그 상변화 물질을 전기적으로 가열하여 물질이 저 배타적 논리합(Exclusive OR, EXOR 등으로도
먼트는 다음 데이터를 찾을 수 있도록 함으로 항이 약한 결정 상태로 바뀌느냐 아니면 저항 표시)이라고도 부르며, 두 개의 입력 변수만 가
써 접근 시간을 줄이는 기법의 내부 인터리빙 이 강한 비정질 상태로 되느냐에 따라 정보를 지고 있음.
을 특징으로 하는 것 저장하고 판독하는 메모리

MRAM 33 PROM(programmable ROM) 39
자의 스핀으로 정보를 유지하는 비휘발성 메모 1회에 한해서 새로운 내용을 기록할 수 있으며
리로 스마트폰이나 개인용 컴퓨터에서 사용하 한 번 기억한 내용은 바꾸거나 지울 수 없음.
는 DRAM을 대체할 차세대 메모리
PSRAM(pseudo SRAM) 46
MSB(most significant bit) 223 가짜 정적 램이라고도 하며 내장 재충전과 주
레지스터의 최상위 비트 소 제어 회로가 있는 동적 램. 정적 램(SRAM)
과 비슷하게 동작하는 것으로 DRAM의 높은
NAND 게이트 51 밀도와 SRAM의 용이성이라는 2개의 장점을
AND 게이트에 NOT 게이트를 직렬로 연결한 합친 것
것으로, AND 연산의 출력을 보수화한 것
RGB 코드 77
NAND 게이트 RS 래치 210 10진수 9자리 RGB 코드 255255255를 16진수
2개의 NAND 게이트의 각 출력을 상대 게이트 6자리 FFFFFF로 간결하게 표현
입력에 연결하여 회로 내에 2진수 1비트를 저
장하는 회로 RS 래치(latch) 206
두 개의 입력과 두 개의 출력을 가짐.
NOR 게이트 51
OR 게이트에 NOT 게이트를 직렬로 연결한 것 RS 래치 회로 44, 206
으로 OR 연산의 출력을 보수화한 것 두 개의 입력(R: 리셋-reset과 S: 세트-set)과
두 개의 출력(Q, Q - 두 출력은 서로 반대의 값
NOT 게이트[인버터(inverter)] 50 (보수))을 가짐.
1개의 입력과 1개의 출력을 가지며, 반전(invert)
또는 보수(complement) 기능을 수행

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