Page 45 고등학교 디지털 논리 회로 교과서
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열 입력 열 입력
비트 선 비트 선
재충전 재충전
버퍼 버퍼
저장된
데이터 인에이블=동작
버퍼 1
재충전 재충전 1
입력 입력
1 MOSFET 동작 1 1 MOSFET 동작
행 입력 행 입력
출력 재충전
출력 버퍼 MOSFET MOSFET
인에이블 = 동작 인에이블=동작 버퍼
D out D out
1 또는 0 저장된 데이터 비트
1 또는 0이 나타남. 1 커패시터 1 커패시터
1 1
R / W R/W
저장되었던 데이터가
D in 비트 선(열 입력선)을 D in 저장되었던 데이터 비트의 값이
입력 비트 선에 연결되어 출력 버퍼와
0 버퍼 통하여 출력 버퍼로 연결됨. 입력 재충전 버퍼, 트랜지스터를 통해
버퍼 커패시터가 충전을 되풀이하도록
디스에이블 = 정지 읽기 동작 출력 버퍼는 커패시터에 재충전 동작 하여 기억된 데이터 값을
저장되었던 정보를 잃어버리지 않도록 함.
출력으로 보낸다.
그림 Ⅱ- 13 동적 램(DRAM) 셀의 읽기 동작 원리 그림 Ⅱ- 14 동적 램(DRAM) 셀의 재충전 동작 원리
③ 재충전(refresh) 동작
• 그림 Ⅱ-14에 재충전 동작을 나타내었다.
• R/ W=1, (행 입력)=1, (재충전 입력)=1이 되면, MOS FET가 동작(on)하여 커패
시터는 비트 선에 연결된다.
• 출력 버퍼는 인에이블이 되고, 저장된 데이터 비트는 재충전 입력이 논리 1이 되
어 인에이블이 되므로 재충전 버퍼에 다시 입력된다. 다시 MOS FET가 동작하고
커패시터는 충전을 되풀이한다.
• 이러한 동작은 저장된 비트의 논릿값을 커패시터에 재충전하여 커패시터의 완전
방전으로 인한 정보 데이터의 손실을 방지할 수 있다.
(2) 정적 램(SRAM)의 셀 구조에 따른 동작 원리
정적 램(SRAM)의 셀에 특정 값을 입력하여 쓰기 동작과 읽기 동작이 어떻게 되는지
알아보자.
① 선택 입력(S, select)
• 그림 Ⅱ-15에서 선택 입력 S는 메모리 셀 중에서 주소를 통하여 선택되었을 때 논
리 1이 입력된다.
• S = 1: 셀이 선택된 경우를 의미한다. • S = 0: 셀이 선택되지 않은 경우를 의미한다.
2. 롬(R0M)과 램(RAM) 43
