Page 58 고등학교 디지털 논리 회로 교과서

실습 과제 SRAM 메모리의 쓰기와 읽기 실험
Ⅰ

학습 목표 • SRAM의 쓰기/읽기 회로를 브레드보드에 구성할 수 있다.
• 번지에 데이터값을 저장시키는 동작(쓰기 동작)과 다시 주소 번지에 저장된 데이터를 불
러오는 동작(읽기 동작)을 이해하고 응용할 수 있다.

필요 지식 브레드보드용 심벌
HY6116ALP-8bit CMOS SRAM / IC 핀 배치도(pin arrangements)
SW LED 저항/D 콘덴서
pin name pin function A7 1 24 VCC
SW
CS chip select A6 2 23 A8 PB
A5 3 22 A9
WE write enable A4 4 21 WE
A3 5 20 OE
OE output enable A2 6 19 A10
A1 7 18 CS
address input
A 0 -A 10
A0 8 17 I/O8
data input/output I/O1 9 16 I/O7
I/O 1 -I/O 8
I/O2 10 15 I/O6
power(+5V)
V CC I/O3 11 14 I/O5
VSS 12 13 I/O4
ground
V SS
PDIP
재료·자료 및 기기 • IC HY6116ALP(1개), DIP 스위치(4P, 2개), PB 스위치(2P, 1개), 저항(1KΩ, 9개), LED(적
(장비·공구) 색 4개, 녹색 4개), 브레드보드(1개), 점프선(브레드보드용, 3m)
• 직류 전원 공급 장치(0∼30V/1A, 1대), 회로 시험기(1대), 개인 공구(니퍼, 롱로즈플라이
어, 드라이버, 핀셋)

안전 및 유의 사항 • 결선할 때에는 전원을 차단한 상태에서 해야 한다.
• 결선을 모두 마치면 항상 V CC 단자와 GND 단자 사이의 저항을 측정하여 단락 여부를 점
검한 후 전원을 인가하여야 한다.

수행 순서 ① 주어진 부품으로 그림 1의 SRAM의 쓰기/읽기 실험 회로를 브레드보드에 바르게 연결하
여 구성하고 전원(+V CC=5V)을 공급한다.
② S 1, S 2, S 3 LED 모두 off 상태로 하여 실험 시작 전 초기 상태를 만들어 놓아야 한다.
③ 실험 쓰기 동작 1~4까지, 즉 0001~1111번지에 해당하는 데이터가 저장되도록 한다.
④ 실험 읽기 동작 1~4까지, 즉 0001~1111번지에 저장되었던 데이터를 LED D 5~D 8에
표시한다.

56 Ⅱ. 논리 소자