Page 60 고등학교 디지털 논리 회로 교과서

+V CC (+5V)
+

01 05 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
j
i 4 13
h
I/O 2
g A 3 A 2 A 1 A 0 I/O 2
I/O 1
I/O 3
f I/O 0
S1 S 2
DIP HY6116ALP-10 DIP
SW-4 SW-4
e
d
c 1 12
b
a
01 05 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
01 05 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
j
i
h
g
f
1K
e
d A 3 A 2 A 1 A 0
I/O 0 I/O 1 I/O 2 I/O 3
c
b
a
01 05 1 0 15 PB 20 25 30 35 40 45 5 0 55 60
1K 1K 1K 1K SW S 3 1K 1K 1K 1K
- GND(0V)
그림 2 SRAM의 쓰기/읽기 실험 회로 브레드보드 조립도
▣ 실험 1-1: 쓰기 동작 1~2

• S 1 스위치 A 0만 on 상태로 하여 0001번지에 S 2 스위
치 I/O 3만 on 상태로 하여 데이터 1000이 0001 번
지에 저장(쓰기 동작)되도록 S 3 PB 스위치를 눌렀
다가 놓는다.
• S 1 스위치 A 0, A 1 두 개가 on 상태가 되도록 하여
0011번지에 S 2 스위치 I/O 3와 I/O 2를 on시켜 데이터
그림 3 쓰기 동작 1 - 0001번지에 1100이 0011번지에 저장되도록 S 3 PB 스위치를 눌
데이터 1000 저장 모습
렀다가 놓는다.

▣ 실험 1-2: 쓰기 동작 3~4

• S 1 스위치 A 0, A 1, A 2 세 개가 on 상태가 되도록 하
여, 0111번지에 S 2 스위치 I/O 3와 I/O 2, I/O 1을 on시
켜 데이터 1110이 0111번지에 저장되도록 S 3 PB 스
위치를 눌렀다가 놓는다.
• S 1 스위치 A 0, A 1, A 2, A 3 네 개가 on 상태가 되도록

하여, 1111번지에 S 2 스위치 I/O 3와 I/O 2, I/O 1, I/O 0
그림 4 쓰기 동작 4 - 1111번지에 데이터 을 on시켜 데이터 1111이 1111번지에 저장되도록
1111 저장 모습
S 3 PB 스위치를 눌렀다가 놓는다.

58 Ⅱ. 논리 소자