Page 59 고등학교 디지털 논리 회로 교과서

VCC

S 1 S 2
DIP DIP
SW-4 SW-4
24
8 4 2 1 8 9 1 2 4 8
7 A0 VCC I/O 0 10
6 A1 I/O 1 11
5 A2 I/O 2 13
4 A3 I/O 3 14 +
A 3 A0 3 A4 I/O 4 15 I/O 0 I/O 3 - 5V
A2 A1 2 A5 I/O 5 16 I/O 1 I/O 2
1 A6 I/O 6 17
23 A7 I/O 7
22 A8
19 A9
D1 D2 D3 D4 D 5 D 6 D 7 D 8
R 5 A10
1K
18 CS
20 OE
21
R 1 R 2 R 3 R 4 WE R 6 R 7 R 8 R 9
1K 1K 1K 1K GND 1K 1K 1K 1K
S3 12
HY6116ALP-10
PB
SW
GND
그림 1 SRAM의 쓰기/읽기 실험 회로도
표 1 SRAM의 쓰기 읽기 진리표

※ 진리표와 같은 동작이 되도록 실습 따라 하기를 하며 데이터의 저장과 불러오기를 이해한다.

번지 지정 DIP SW S1 및 입력 데이터 설정 DIP SW 쓰기/읽기 비고
표시 LED 상태 및 표시 LED 상태 SW S3
A3 A2 A1 A0 I/O3 I/O2 I/O1 I/O0
PB SW WE 단자가 L(0) 상
(D1) (D2) (D3) (D4) (D8) (D7) (D6) (D5)
쓰 태가 되면 쓰기 모
기 0 0 0 1 1 0 0 0 0 (on 상태) 드로 데이터가 저장
동 0 0 1 1 1 1 0 0 0 (on 상태) 된다. 즉, S3를 눌렀
작
0 1 1 1 1 1 1 0 0 (on 상태) 다 놓으면 쓰기(저
장)가 된다.
1 1 1 1 1 1 1 1 0 (on 상태)
번지 선택 DIP SW S1 및 데이터 출력 표시 쓰기/읽기 비고
표시 LED 상태 LED 상태 SW S3
A3 A2 A1 A 0 I/O3 I/O2 I/O1 I/O0
PB SW
(D1) (D2) (D3) (D 4 ) (D8) (D7) (D6) (D5) WE 단자가 H(1) 상태
읽 가 되면 읽기 모드로
기 0 0 0 1 1 0 0 0 1 (off 상태)
선택된 번지에 저장
동 0 0 1 1 1 1 0 0 1 (off 상태)
작 되었던 데이터가 읽
0 1 1 1 1 1 1 0 1 (off 상태)
혀져서 표시된다.
1 1 1 1 1 1 1 1 1 (off 상태)

실습 과제 57